Micron интегрира механизъм за корекции на грешки във флаш-паметите

От компанията Micron съобщиха, че са разработили нови NAND флаш чипове, наречени ClearNAND, които са с вградени възможности за корекция на грешки.

В новата серия ClearNAND чипове на Micron се използва традиционната логическа схема NAND, но и нови възможности, които позволяват да се оптимизира работата им в ресурсоемки и високоскоростни приложения, информират още от компанията. Това е важно, тъй като с възприемането на все по-"тънки" технологии за производството на флаш чипове памет, особено при 20-нанометровия процес, нараства и броят на грешките при работа с информацията, което пък води до намаляване на общата производителност и надеждността на самите чипове.

За да елиминират този проблем, предлаганите от Micron нови флаш-чипове ClearNAND съдържат и модул за корекция на грешки. Първите ClearNAND чипове се произвеждат по 25-нанометров технологичен процес във вид на MLC (multi-level cell) продукти, предлагани в две основни серии - Standard и Enhanced. Standard ClearNAND чиповете са предназначени за потребителски устройства и идват с капацитети от 8 до 32 GB и ECC (error correction code), който намалява грешките с минимални протоколни изменения. Enhanced ClearNAND чиповете пък са с капацитети от 16 до 64 GB и в тях с реализирани някои допълнителни възможности, предназначени за увеличаване на производителността и надеждността, като са ориентирани за ползване в корпоративни компютърни системи.

Micron ClearNAND чиповете от Standard и Enhanced сериите вече са достъпни за производителите, така че най-вероятно съвсем скоро ще ги видим и в реални USB флаш, SSD и др. продукти на пазара.